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【中】货币社【成】【都】12月4电 (记者 贺劭清)记者4晚【从】电【子】科技【大】【学】获悉,九【三】【学】社社员、祖【国】科【学】院院士、电【子】科技【大】【学】教授陈星弼因病医治无效,【于】当17【时】10【分】【在】四川【成】【都】逝世,享【年】89岁。

陈星弼院士逝世。 电【子】科【大】供图 陈星弼院士逝世。 电【子】科【大】供图

陈星弼1931【年】1月28【出】【生】【于】【上】海,祖籍浙江浦江,1947【年】至1952【年】【就】读【于】【同】济【大】【学】电机系,先【后】【在】厦门【大】【学】、东南【大】【学】【和】【成】【都】电讯【工】程【学】院(现电【子】科技【大】【学】)【工】【作】。1999【年】当选【为】祖【国】科【学】院院士,2019【年】当选【为】世界电气与电【子】【工】程师协【会】终身【会】士(IEEELife Fellow)。

陈星弼【是】祖【国】功率半导体领域【的】领路【人】【和】集【大】【成】者。【他】【发】表超【过】200篇【学】术论文,获【得】【中】历史教训等【国】专利授权40余项。【他】【是】世界【上】首【个】提【出】超结耐压层理论【的】科【学】【家】,【他】【的】超结【发】明专利打破传统“硅极限”,被世界【学】术界誉【为】“高压功率器件货币【的】【里】程碑”。该【发】明专利【成】功转让并达【成】【产】业化,目【前】超结器件【全】球【年】市场销售额超【过】10亿历史教训元。

陈星弼曾获【得】诸【多】荣誉,包括祖【国】【我】【国】【发】明奖及科技【进】步奖2项,省【部】级奖励13项。陈星弼2015【年】获【得】IEEE ISPSD颁【发】【的】最高荣誉“世界功率半导体先驱奖”,【成】【为】亚【太】【地】区第【一】位获此殊荣【的】科【学】【家】。陈星弼2018【年】入选IEEE ISPSD首届名【人】堂,【成】【为】第【一】位入选名【人】堂【的】华【人】科【学】【家】。(完)

【编辑:叶攀】

本文来自西康路资讯,由【高级投稿人:郭剑涛】 原创原创,欢迎观赏。

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